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2018年10月2日，ANSYS宣布，ANSYS解決方案已通過(guò)臺(tái)積電的7nm FinFET Plus（N7+）工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)認(rèn)證，支持EUV（極紫外線光刻技術(shù)）技術(shù)，而且參考流程經(jīng)驗(yàn)證可支持最新的基于內(nèi)存基板應(yīng)用的集成扇出型（InFO_MS）高級(jí)封裝技術(shù)。上述認(rèn)證和驗(yàn)證對(duì)于無(wú)晶圓廠的半導(dǎo)體企業(yè)非常重要，有助于其仿真工具通過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試和驗(yàn)證過(guò)程，從而支持新的工藝節(jié)點(diǎn)和封裝技術(shù)。
ANSYS? RedHawk?和ANSYS? Totem?通過(guò)了臺(tái)積電N7+工藝技術(shù)認(rèn)證，能提供支持EUV的相關(guān)特性。N7+的認(rèn)證包括提取、電源完整性和可靠性、信號(hào)電遷移（EM）和熱可靠性分析等方面。
業(yè)界領(lǐng)先的臺(tái)積電InFO高級(jí)封裝技術(shù)經(jīng)過(guò)擴(kuò)展后可將內(nèi)存子系統(tǒng)和邏輯芯片集成在一起。臺(tái)積電和ANSYS改進(jìn)了現(xiàn)有的InFO設(shè)計(jì)流程，支持新型InFO_MS封裝技術(shù)，并使用ANSYS SIwave-CPA、ANSYS? RedHawk-CPA?、ANSYS? RedHawk-CTA?、ANSYS? CMA?和ANSYS? CSM?及相應(yīng)的芯片模型驗(yàn)證了參考流程。InFO_MS參考流程包括晶片和封裝的協(xié)同仿真和協(xié)同分析，支持提取、電源和信號(hào)完整性分析、電源和信號(hào)電遷移分析以及熱分析等。
臺(tái)積電設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)營(yíng)銷部門的高級(jí)總監(jiān)Suk Lee指出：“臺(tái)積電和ANSYS的最新N7+認(rèn)證合作和InFO_MS支持工作能幫助客戶滿足新一代芯片和封裝對(duì)于更高性能、可靠性和功耗的要求?！?/span>
ANSYS半導(dǎo)體事業(yè)部總經(jīng)理John Lee指出：“隨著智能互聯(lián)電子設(shè)備的數(shù)量不斷增多，制造商必須跟上發(fā)展步伐，設(shè)計(jì)出節(jié)能型、高性能、可靠性產(chǎn)品，同時(shí)降低成本，縮小封裝。ANSYS半導(dǎo)體解決方案可滿足功率、熱、可靠性等復(fù)雜的多物理場(chǎng)挑戰(zhàn)，也能應(yīng)對(duì)工藝變化對(duì)產(chǎn)品性能的影響。ANSYS的綜合芯片封裝系統(tǒng)解決方案支持芯片感知系統(tǒng)和系統(tǒng)感知芯片簽核，有助于雙方共同的客戶以更大的信心加速設(shè)計(jì)收斂?！?/span>
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